橫孔試塊的設(shè)計(jì)

1.1橫孔試塊的設(shè)計(jì)依據(jù)

該類試塊的設(shè)計(jì)是依據(jù)GB/T11345-2013標(biāo)準(zhǔn)中的技術(shù)1要求:以直徑為3mm的橫孔作為參考反射體,制作距離幅度曲線(DAC);以及標(biāo)準(zhǔn)附錄E中時(shí)基線和靈敏度設(shè)定的規(guī)定而設(shè)計(jì)。即橫孔長(zhǎng)度需滿足e>2S/D.(e為橫孔長(zhǎng)度,入為波長(zhǎng),S為聲程,D.為晶片有效直徑);橫孔長(zhǎng)度應(yīng)大于用-20dB法測(cè)得的聲束寬度。當(dāng)板t大于20mm 而小于等于40mm時(shí),橫孔埋深間距h=(d-10)/2;當(dāng)板厚t>40 mm 時(shí),橫孔埋深間距 h≤(d-10)/2[2-4]

1.2 橫孔長(zhǎng)度的確定

1.2.1 不同長(zhǎng)度橫孔反射量差異試驗(yàn)分別加工了直徑為3mm和長(zhǎng)度分別為40、45、50、55mm的橫孔,橫孔端部帶有 120°尖角的盲孔。橫孔埋藏深度從80~240mm,每10mm 一檔。試驗(yàn)時(shí),分別選用頻率2.5MHz與5MHz、晶片尺寸為10~20mm的探頭,對(duì)上述不同長(zhǎng)度和不同埋藏深度的橫孔進(jìn)行測(cè)試。表1為采用晶片尺寸為16 mm的探頭對(duì)埋深120 mm 的橫孔的測(cè)試結(jié)果。

試驗(yàn)結(jié)論:用同一探頭測(cè)試埋藏深度相同的φ3mm橫孔，來自長(zhǎng)度分別為40、45、50、55 mm的反射回波幅度均為滿屏80%時(shí)，靈敏度相差不大于 0.5 dB。

1.2.2 用-20dB法測(cè)定聲束寬度試驗(yàn)分別加工了帶有半徑為100、140、160、200mm的階梯半圓試塊,選用不同頻率(2.5,5 MHz)不同晶片尺寸和不同角度的探頭，在不同聲程位置進(jìn)行聲束寬度的測(cè)試對(duì)比。表2為按照GB/T11345-2013標(biāo)準(zhǔn)10.2的規(guī)定,采用-20dB法的部分測(cè)試結(jié)果(采用頻率為2.5 MHz與5 MHz,測(cè)試數(shù)據(jù)基本相同)。

橫孔試塊的設(shè)計(jì)內(nèi)容1.3

依據(jù)檢測(cè)范圍的不同,并且考慮到能同時(shí)滿足橫波檢測(cè)和縱波檢測(cè)的靈敏度設(shè)定的需要，共設(shè)計(jì)了五塊試塊,分別見圖1和表3。其中試塊代號(hào)SD為英文橫孔的縮寫